磁控溅射设备：纳米金属薄膜的 “高速喷涂大师”

在半导体制造中，金属薄膜的沉积效率与精度决定着芯片的导电性能。磁控溅射设备通过磁场约束等离子体，将靶材原子以每秒 2000 米的速度轰击到晶圆表面，实现每分钟微米级的沉积速率，是铝电极、铜互连等金属化工艺的核心装备。其独特优势在于：可在室温下沉积高纯度金属薄膜，且薄膜附着力＞5N/cm，满足柔性电子器件的弯曲需求。

作为磁控溅射的 “耗材心脏”，靶材的更换工艺直接影响沉积质量。标准化流程需控制靶材与晶圆的间距（10-15cm）、溅射气压（0.1-1Pa）和射频功率（50-500W），确保新靶材的初始溅射均匀性误差＜2%。某国内晶圆厂通过引入 “靶材寿命预测系统”，将靶材利用率从 70% 提升至 85%，单台设备年节省成本超 200 万元。

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在光伏领域，磁控溅射设备用于沉积 TCO（透明导电氧化物）薄膜，如氧化锌（ZnO）层的方块电阻可控制在 10Ω/□以下，透光率＞85%，助力 PERC 电池转换效率突破 23%。而在半导体制造中，其为 28nm 节点以下芯片制备铜互连薄膜时，可实现线宽＜40nm 的精细图案，较传统蒸发镀膜技术效率提升 3 倍。2023 年全球磁控溅射设备市场规模达 60 亿美元，光伏与半导体需求贡献了 70% 的增长。

毅睿科技-芯壹方 超高真空多腔体自动传输蒸镀/溅镀系统

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UHV 多腔体:lon Sources, Thermal /E-Beam Evaporator, Sputter .E-Beam...etc.

基板:多片/单片Max8 Inch,5x5 cm, 10x10cm或其他尺寸

真空度:UHV10-9 Torr

国产磁控溅射设备正通过智能化改造缩小与国际差距。拓荆科技的新一代设备集成 AI 算法，可实时分析等离子体光谱数据，自动调整溅射参数，将薄膜厚度均匀性从 ±3% 提升至 ±1.2%，颗粒污染率降低 60%。这种 “设备即传感器” 的设计，使单台设备的工艺调试时间从 72 小时缩短至 24 小时，显著提升晶圆厂的产能利用率。

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