在 28nm 以下制程中，芯片晶体管密度提升带来的电容效应使低 k 介质薄膜成为关键。等离子体增强化学气相沉积（PECVD）设备通过低温工艺实现介电薄膜的精准制备，成为先进制程的核心装备。

PECVD 设备通过等离子体激活反应气体，在 300℃低温下即可沉积二氧化硅等薄膜，比传统热 CVD 工艺温度降低 40%，避免了高温对脆弱晶体管结构的损伤。在 7nm 及以下逻辑芯片中，PECVD 沉积的低 k 介质薄膜介电常数可降至 2.2 以下，相当于在晶体管之间搭建 “空气隔离带”，信号传输速度提升 20%。2023 年全球 PECVD 设备市场规模达 86 亿美元，占薄膜沉积设备市场的 33%。

通过调整射频功率（100-500W）和反应气压（1-10Pa），PECVD 设备可精确控制薄膜孔隙率。例如，在 3D NAND 存储芯片中，孔隙率需控制在 25%-35% 以平衡介电性能和机械强度。 PECVD 设备支持多气体混合沉积，薄膜厚度均匀性≤1.5%，颗粒污染控制＜5 个 / 晶圆（200mm），已进入台积电、三星等国际大厂供应链。

国内厂商在 PECVD 领域实现技术突围。2023 年国产 PECVD 设备市场份额提升至 12%， PECVD 设备在 28nm 及以上成熟制程领域实现量产，部分参数达到国际水平。迈为股份的 PECVD 设备应用于 HJT 太阳能电池制造，支持非晶硅层和 TCO 层的高效沉积，2024 年新签订单达 8 亿元。国产设备的价格仅为进口产品的 60%-70%，性价比优势显著。

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适用于6寸及其他尺寸，基板加热最高可达350℃，溅镀源:13.56 MHz RF & Bias，可通气体:SiH4,NH3,N2O,Ar,N2,CF4,02等，具备自动压力控制器

除半导体领域外，PECVD 设备在光伏和显示技术中也有广泛应用。在钙钛矿太阳能电池中，PECVD 沉积的 ITO 薄膜可提升光电转换效率，美能光伏的真空蒸镀设备通过双光束光学设计，实现吸光度变化的精准矫正。未来，随着量子计算和柔性电子的发展，PECVD 设备将向超低温、超均匀沉积方向升级，进一步拓展应用场景。

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等离子体增强 CVD：介电薄膜的低温魔法师