在半导体行业，存储芯片作为数据存储的重要载体，其性能的提升至关重要。而原子层沉积设备，凭借先进的技术手段，成为了存储芯片性能提升的 “秘密武器”。

据数据显示，2023 年全球半导体设备市场规模约为 1063 亿美元，薄膜沉积设备市场规模约达 211 亿美元 ，其中原子层沉积设备在存储芯片制造环节有着重要应用。无论是 NAND Flash 还是 DRAM，原子层沉积技术都发挥着不可替代的关键作用。

厦门毅睿科技-芯壹方 微波等离子体辅助原子层沉积系统（MPALD）

在 NAND Flash 制造过程中，原子层沉积设备通过在存储单元的沟道和电荷捕获层上精确沉积高质量的薄膜，显著提高了存储单元的电荷保持能力和耐久性。这一技术应用，有效延长了存储芯片的使用寿命，极大地提升了数据存储的可靠性。对于 DRAM 而言，原子层沉积设备用于在电容电极和绝缘层上沉积高质量的薄膜，能够提高电容的存储容量和稳定性，进而提升 DRAM 芯片的整体性能和存储密度。

随着数据存储需求的不断增长，对存储芯片性能的要求也越来越高。原子层沉积设备凭借其高精密薄膜沉积技术，不断满足存储芯片制造商对于提升产品性能的需求。在未来，随着存储芯片技术向更高容量、更快速度发展，原子层沉积设备将继续发挥其 “秘密武器” 的作用，助力存储芯片行业实现更大的突破与发展。

厦门毅睿科技-芯壹方原子层沉积（ALD）系统

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原子层沉积设备：存储芯片性能提升的 “秘密武器”