反应式离子蚀刻系统
来源:本站 时间:2024-08-16
Description:
●Source:ICP 13.56 MHz 1000-2000 W RF
●Bias: 13.56 MHz 300 W RF
●自动压力控制器
●2”-6” 水冷载台
●气体:H2，CF4，SF6,Ar, N2 . O2 ... etc.,
反应式离子蚀刻系统
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