电浆辅助化学气相沉积系统(PECVD)
来源:本站 时间:2024-08-16
Plasma- Enhanced Chemical Vapor Deposition
基板尺寸:10x10cm或其他尺寸
溅镀源:13.56 MHz RF或2.45 GHz 微波
基板加温:Max.800℃
自动制程
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Plasma- Enhanced Chemical Vapor Deposition
基板尺寸:10x10cm或其他尺寸
溅镀源:13.56 MHz RF或2.45 GHz 微波
基板加温:Max.800℃
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