Description:

基板尺寸:2”-6”Wafer或其他尺寸

基板加温:300-Max 950℃

自动镀膜制程

Doping RF 13.56MHz射频电源:300-1000W

材料:AI₂O₃，HFO₂，ZrO₂,TiO₂,MgO,ZnO,LaO₂,AI, Ti ...etc.,

气体:Ar,N₂,NH₃, H₂ ... etc.,

   

原子层沉积系统