Description:

基板尺寸:6”Wafer或其他尺寸

溅镀源:13.56 MHz RF & Bias

基板加温:Max 350℃

气体:SiH₄，NH₃，N₂O，Ar，N₂，CF₄，O₂ .

自动压力控制器

用途:SiO₂,Si_XN_X ... etc.,

电浆辅助化学气相沉积系统